真空镀膜仪的基本原理

更新时间:2023-02-28      点击次数:620
真空镀膜仪主要指一类需要在较高真空度下进行的镀膜,具体包括很多种类,包括真空电阻加热蒸发,电子枪加热蒸发,磁控溅射,MBE分子束外延,PLD激光溅射沉积,离子束溅射等很多种。主要思路是分成蒸发和溅射两种。
 
真空镀膜仪主要用来在非导电材料表面蒸发或者溅射沉积纳米导电薄膜,用来提高样品的表面导电性能,同时由于厚度仅为几个纳米,可以很好保持样品原始的表面形貌。
 
基本原理:
 
真空镀膜过程简单来说就是电子在电场的作用下加速飞向基片的过程中与氩原子发生碰撞,电离出大量的氩离子和电子,电子飞向基片.氩离子在电场的作用下加速轰击靶材,溅射出大量的靶材原子,呈中性的靶原子(或分子)沉积在基片上成膜。
 
真空镀膜就是以磁场束缚而延长电子的运动路径,改变电子的运动方向,提高工作气体的电离率和有效利用电子的能量.电子的归宿不仅仅是基片,真空室内壁及靶源阳极也是电子归宿,因为一般基片与真空室及阳极在同一电势.磁场与电场的交互作用(EXB drift)使单个电子轨迹呈三维螺旋状,而不是仅仅在靶面圆周运动。
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